NSB8ATHE3_A/I
NSB8ATHE3_A/I
Cikkszám:
NSB8ATHE3_A/I
Gyártó:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Leírás:
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12099 Pieces
Adatlap:
NSB8ATHE3_A/I.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NSB8ATHE3_A/I, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NSB8ATHE3_A/I e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NSB8ATHE3_A/I BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha:1.1V @ 8A
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max):50V
Szállító eszközcsomag:TO-263AB
Sebesség:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sorozat:Automotive, AEC-Q101
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Működési hőmérséklet - csatlakozás:-55°C ~ 150°C
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:30 Weeks
Gyártási szám:NSB8ATHE3_A/I
Bővített leírás:Diode Standard 50V 8A Surface Mount TO-263AB
Diódatípus:Standard
Leírás:DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr:10µA @ 50V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io):8A
Capacitance @ Vr, F:55pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások