megvesz NP80N055MHE-S18-AY BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
NP80N055MHE-S18-AY
- Cikkszám:
- NP80N055MHE-S18-AY
- Gyártó:
- Renesas Electronics America
- Leírás:
- MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 12540 Pieces
- Adatlap:
- NP80N055MHE-S18-AY.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NP80N055MHE-S18-AY, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NP80N055MHE-S18-AY e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-220-3 |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 11 mOhm @ 40A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1.8W (Ta), 120W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-220-3 |
| Üzemi hőmérséklet: | 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
| Gyártási szám: | NP80N055MHE-S18-AY |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 3600pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 55V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 55V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NP80N055MHE-S18-AY-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
NP80N04KHE-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 | Vizsgálat |
 |
NP80N055NDG-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 | Vizsgálat |
 |
NP80N06MLG-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 | Vizsgálat |
|
NP80N055KLE-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 | Vizsgálat |
|
NP80N04PUG-E1B-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 | Vizsgálat |
 |
IXFN340N06 | IXYS | MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B | Vizsgálat |
 |
MCH3476-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3 | Vizsgálat |
|
NP80N06PLG-E1B-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 | Vizsgálat |
|
NP80N04PLG-E1B-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog