NP109N055PUJ-E1B-AY
NP109N055PUJ-E1B-AY
Cikkszám:
NP109N055PUJ-E1B-AY
Gyártó:
Renesas Electronics America
Leírás:
MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
17725 Pieces
Adatlap:
NP109N055PUJ-E1B-AY.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NP109N055PUJ-E1B-AY, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NP109N055PUJ-E1B-AY e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NP109N055PUJ-E1B-AY BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-263
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:3.2 mOhm @ 55A, 10V
Teljesítményleadás (Max):1.8W (Ta), 220W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Üzemi hőmérséklet:175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:NP109N055PUJ-E1B-AY
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:10350pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:180nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 55V 110A (Ta) 1.8W (Ta), 220W (Tc) Surface Mount TO-263
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):55V
Leírás:MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:110A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások