megvesz NOJT226M006RWJ BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
NOJT226M006RWJ
- Cikkszám:
- NOJT226M006RWJ
- Gyártó:
- AVX Corporation
- Leírás:
- CAP NIOB OXID 22UF 20% 6.3V 1210
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 16992 Pieces
- Adatlap:
- NOJT226M006RWJ.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NOJT226M006RWJ, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NOJT226M006RWJ e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - névleges: | 6.3V |
|---|---|
| Tolerancia: | ±20% |
| Szállító eszközcsomag: | 1210 (3528 Metric) |
| Méret / dimenzió: | 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) |
| Sorozat: | OxiCap® NOJ |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 1411 (3528 Metric) |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 105°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 15 Weeks |
| Gyártói méretkód: | T |
| Gyártási szám: | NOJT226M006RWJ |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| Jellemzők: | - |
| Bővített leírás: | 22µF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 1411 (3528 Metric) 1.8 Ohm ESR |
| ESR (egyenértékű sorozat rezisztencia): | 1.8 Ohm |
| Disszipációs tényező: | 8% |
| Leírás: | CAP NIOB OXID 22UF 20% 6.3V 1210 |
| Jelenlegi - szivárgás: | 2.6µA |
| Kapacitancia: | 22µF |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NOJT226M006RWJ-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
NOJT226M001RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 22UF 20% 1.8V 1210 | Vizsgálat |
|
NOJT106M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 10UF 20% 4V 1210 | Vizsgálat |
|
NOJT226M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 22UF 20% 4V 1210 | Vizsgálat |
|
NOJT226M002RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 22UF 20% 2.5V 1210 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog