NJD35N04T4G
NJD35N04T4G
Cikkszám:
NJD35N04T4G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16273 Pieces
Adatlap:
NJD35N04T4G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NJD35N04T4G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NJD35N04T4G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NJD35N04T4G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):350V
Vce telítettség (Max) Ib, Ic:1.5V @ 20mA, 2A
Tranzisztor típusú:NPN - Darlington
Szállító eszközcsomag:DPAK-3
Sorozat:-
Teljesítmény - Max:45W
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Más nevek:NJD35N04T4G-ND
NJD35N04T4GOSTR
Üzemi hőmérséklet:-65°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:19 Weeks
Gyártási szám:NJD35N04T4G
Frekvencia - Átmenet:90MHz
Bővített leírás:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 4A 90MHz 45W Surface Mount DPAK-3
Leírás:TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce:2000 @ 2A, 2V
Aktuális - Collector Cutoff (Max):50µA
Áram - kollektor (Ic) (Max):4A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások