NGTG20N60L2TF1G
NGTG20N60L2TF1G
Cikkszám:
NGTG20N60L2TF1G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
IGBT 600V 40A 64W TO-3PF
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14334 Pieces
Adatlap:
NGTG20N60L2TF1G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NGTG20N60L2TF1G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NGTG20N60L2TF1G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NGTG20N60L2TF1G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:1.65V @ 15V, 20A
Teszt állapot:300V, 20A, 30 Ohm, 15V
Td (be / ki) @ 25 ° C:60ns/193ns
Energiaváltás:-
Sorozat:-
Teljesítmény - Max:64W
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-3P-3 Full Pack
Más nevek:NGTG20N60L2TF1GOS
Üzemi hőmérséklet:175°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:4 Weeks
Gyártási szám:NGTG20N60L2TF1G
Bemeneti típus:Standard
IGBT típus:-
Gate Charge:84nC
Bővített leírás:IGBT 600V 40A 64W Through Hole
Leírás:IGBT 600V 40A 64W TO-3PF
Jelenlegi - kollektoros impulzusos (Icm):105A
Áram - kollektor (Ic) (Max):40A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások