megvesz NE3503M04-T2B-A BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
NE3503M04-T2B-A
- Cikkszám:
- NE3503M04-T2B-A
- Leírás:
- FET RF 4V 12GHZ M04
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 17951 Pieces
- Adatlap:
- NE3503M04-T2B-A.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NE3503M04-T2B-A, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NE3503M04-T2B-A e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - teszt: | 2V |
|---|---|
| Feszültség - névleges: | 4V |
| Tranzisztor típusú: | HFET |
| Szállító eszközcsomag: | M04 |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény: | - |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 4-SMD, Flat Leads |
| Zaj kép: | 0.45dB |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | NE3503M04-T2B-A |
| Nyereség: | 12dB |
| Frekvencia: | 12GHz |
| Bővített leírás: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12dB M04 |
| Leírás: | FET RF 4V 12GHZ M04 |
| Jelenlegi értékelés: | 70mA |
| Jelenlegi - teszt: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NE3503M04-T2B-A-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G38-10,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975B | Vizsgálat |
 |
PTFA212401E V4 R250 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 | Vizsgálat |
 |
NE3503M04-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | Vizsgálat |
 |
ATF-52189-TR2 | Broadcom Limited | FET RF 7V 2GHZ SOT-89 | Vizsgálat |
|
NE3503M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | Vizsgálat |
 |
PD85035S-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ | Vizsgálat |
|
NE3509M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ SOT-343 | Vizsgálat |
 |
NE350184C | CEL | FET RF 4V 20GHZ MICRO-X | Vizsgálat |
|
NE3508M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | Vizsgálat |
|
NE3509M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI | Vizsgálat |
 |
BLC8G27LS-210PVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 | Vizsgálat |
 |
BF1208D,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE SOD666 | Vizsgálat |
|
NE3508M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | Vizsgálat |
 |
BLC8G27LS-160AVJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.3DB SOT12751 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog