NDD03N60ZT4G
NDD03N60ZT4G
Cikkszám:
NDD03N60ZT4G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 600V DPAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16714 Pieces
Adatlap:
NDD03N60ZT4G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NDD03N60ZT4G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NDD03N60ZT4G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NDD03N60ZT4G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:DPAK
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Teljesítményleadás (Max):61W (Tc)
Csomagolás:Original-Reel®
Csomagolás / tok:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Más nevek:NDD03N60ZT4GOSDKR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:18 Weeks
Gyártási szám:NDD03N60ZT4G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:312pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 600V 2.6A (Tc) 61W (Tc) Surface Mount DPAK
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):600V
Leírás:MOSFET N-CH 600V DPAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:2.6A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások