NDD02N60Z-1G
NDD02N60Z-1G
Cikkszám:
NDD02N60Z-1G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 600V IPAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12828 Pieces
Adatlap:
NDD02N60Z-1G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NDD02N60Z-1G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NDD02N60Z-1G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NDD02N60Z-1G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:I-Pak
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:4.8 Ohm @ 1A, 10V
Teljesítményleadás (Max):57W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Más nevek:NDD02N60Z-1G-ND
NDD02N60Z-1GOS
NDD02N60Z1G
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:28 Weeks
Gyártási szám:NDD02N60Z-1G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:274pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:10.1nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 600V 2.2A (Tc) 57W (Tc) Through Hole I-Pak
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):600V
Leírás:MOSFET N-CH 600V IPAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:2.2A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások