NDBA100N10BT4H
NDBA100N10BT4H
Cikkszám:
NDBA100N10BT4H
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13445 Pieces
Adatlap:
NDBA100N10BT4H.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NDBA100N10BT4H, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NDBA100N10BT4H e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NDBA100N10BT4H BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:D²PAK (TO-263)
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:6.9 mOhm @ 50A, 15V
Teljesítményleadás (Max):110W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Üzemi hőmérséklet:175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:4 Weeks
Gyártási szám:NDBA100N10BT4H
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:2950pF @ 50V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 100V 100A (Ta) 110W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):100V
Leírás:MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások