megvesz MURS260HE3_A/H BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
MURS260HE3_A/H
- Cikkszám:
- MURS260HE3_A/H
- Leírás:
- DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 18697 Pieces
- Adatlap:
- MURS260HE3_A/H.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója MURS260HE3_A/H, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét MURS260HE3_A/H e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 1.45V @ 2A |
|---|---|
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 600V |
| Szállító eszközcsomag: | DO-214AA (SMB) |
| Sebesség: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101 |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 75ns |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | DO-214AA, SMB |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | -65°C ~ 175°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 27 Weeks |
| Gyártási szám: | MURS260HE3_A/H |
| Bővített leírás: | Diode Standard 600V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
| Diódatípus: | Standard |
| Leírás: | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 5µA @ 600V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io): | 2A |
| Capacitance @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az MURS260HE3_A/H-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
MURS240-E3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | Vizsgálat |
|
MURS260-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE RECT 2A 600V 50NS DO-214AA | Vizsgálat |
|
MURS260-E3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE RECT 2A 600V 50NS DO-214AA | Vizsgálat |
|
MURS260-M3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE RECT 2A 600V 50NS DO-214AA | Vizsgálat |
|
MURS260HE3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | Vizsgálat |
|
MURS260HE3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | Vizsgálat |
|
MURS260HE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | Vizsgálat |
|
MURS240HE3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | Vizsgálat |
|
MURS260-E3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog