MUN5330DW1T1G
MUN5330DW1T1G
Cikkszám:
MUN5330DW1T1G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19366 Pieces
Adatlap:
MUN5330DW1T1G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója MUN5330DW1T1G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét MUN5330DW1T1G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz MUN5330DW1T1G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce telítettség (Max) Ib, Ic:250mV @ 5mA, 10mA
Tranzisztor típusú:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Szállító eszközcsomag:SC-88/SC70-6/SOT-363
Sorozat:-
Ellenállás - Emitter alap (R2) (Ohm):1k
Ellenállás - alap (R1) (Ohm):1k
Teljesítmény - Max:250mW
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Más nevek:MUN5330DW1T1G-ND
MUN5330DW1T1GOSTR
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:10 Weeks
Gyártási szám:MUN5330DW1T1G
Frekvencia - Átmenet:-
Bővített leírás:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Leírás:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce:3 @ 5mA, 10V
Aktuális - Collector Cutoff (Max):500nA
Áram - kollektor (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások