megvesz MSRT250160(A) BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
MSRT250160(A)
- Cikkszám:
- MSRT250160(A)
- Gyártó:
- GeneSiC Semiconductor
- Leírás:
- DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 18286 Pieces
- Adatlap:
- MSRT250160(A).pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója MSRT250160(A), rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét MSRT250160(A) e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 1.2V @ 250A |
|---|---|
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 1600V (1.6kV) |
| Szállító eszközcsomag: | Three Tower |
| Sebesség: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Sorozat: | - |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | Three Tower |
| Más nevek: | MSRT250160(A)GN MSRT250160A |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | -55°C ~ 150°C |
| Szerelési típus: | Chassis Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 10 Weeks |
| Gyártási szám: | MSRT250160(A) |
| Bővített leírás: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1600V (1.6kV) 250A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| Diódatípus: | Standard |
| Dióda konfiguráció: | 1 Pair Common Cathode |
| Leírás: | DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 15µA @ 600V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként): | 250A (DC) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az MSRT250160(A)-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
MSRT250140(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER | Vizsgálat |
|
MSRT250120(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER | Vizsgálat |
|
MSRT200100(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER | Vizsgálat |
|
MSRT200140(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER | Vizsgálat |
|
MSRT200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | Vizsgálat |
|
MSRT250100(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER | Vizsgálat |
|
MSRT25060(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER | Vizsgálat |
|
MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER | Vizsgálat |
|
MSRT25080(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER | Vizsgálat |
|
MSRT200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog