MMBT6517LT3G
MMBT6517LT3G
Cikkszám:
MMBT6517LT3G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16860 Pieces
Adatlap:
MMBT6517LT3G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója MMBT6517LT3G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét MMBT6517LT3G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz MMBT6517LT3G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):350V
Vce telítettség (Max) Ib, Ic:1V @ 5mA, 50mA
Tranzisztor típusú:NPN
Szállító eszközcsomag:SOT-23-3 (TO-236)
Sorozat:-
Teljesítmény - Max:225mW
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Más nevek:MMBT6517LT3G-ND
MMBT6517LT3GOSTR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:MMBT6517LT3G
Frekvencia - Átmenet:200MHz
Bővített leírás:Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Leírás:TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce:20 @ 50mA, 10V
Aktuális - Collector Cutoff (Max):50nA (ICBO)
Áram - kollektor (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások