megvesz MMBT5550LT1G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 140V |
---|---|
Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 250mV @ 5mA, 50mA |
Tranzisztor típusú: | NPN |
Szállító eszközcsomag: | SOT-23-3 (TO-236) |
Sorozat: | - |
Teljesítmény - Max: | 225mW |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Más nevek: | MMBT5550LT1GOS MMBT5550LT1GOS-ND MMBT5550LT1GOSTR |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 12 Weeks |
Gyártási szám: | MMBT5550LT1G |
Frekvencia - Átmenet: | - |
Bővített leírás: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 140V 600mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Leírás: | TRANS NPN 140V 0.6A SOT23 |
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 60 @ 10mA, 5V |
Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 100nA |
Áram - kollektor (Ic) (Max): | 600mA |
Email: | [email protected] |