MJD112T4
MJD112T4
Cikkszám:
MJD112T4
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólom / RoHS nem megfelelő
elérhető mennyiség:
12983 Pieces
Adatlap:
MJD112T4.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója MJD112T4, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét MJD112T4 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz MJD112T4 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):100V
Vce telítettség (Max) Ib, Ic:3V @ 40mA, 4A
Tranzisztor típusú:NPN - Darlington
Szállító eszközcsomag:DPAK-3
Sorozat:-
Teljesítmény - Max:1.75W
Csomagolás:Original-Reel®
Csomagolás / tok:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Más nevek:MJD112T4OSDKR
Üzemi hőmérséklet:-65°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:MJD112T4
Frekvencia - Átmenet:25MHz
Bővített leírás:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK-3
Leírás:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce:1000 @ 2A, 3V
Aktuális - Collector Cutoff (Max):20µA
Áram - kollektor (Ic) (Max):2A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások