MBR600200CT
MBR600200CT
Cikkszám:
MBR600200CT
Gyártó:
GeneSiC Semiconductor
Leírás:
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15149 Pieces
Adatlap:
MBR600200CT.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója MBR600200CT, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét MBR600200CT e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz MBR600200CT BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha:920mV @ 300A
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max):200V
Szállító eszközcsomag:Twin Tower
Sebesség:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sorozat:-
Csomagolás:Bulk
Csomagolás / tok:Twin Tower
Működési hőmérséklet - csatlakozás:-55°C ~ 150°C
Szerelési típus:Chassis Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:4 Weeks
Gyártási szám:MBR600200CT
Bővített leírás:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 300A Chassis Mount Twin Tower
Diódatípus:Schottky
Dióda konfiguráció:1 Pair Common Cathode
Leírás:DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr:3mA @ 200V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként):300A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások