JANTXV1N6628US
Cikkszám:
JANTXV1N6628US
Gyártó:
Microsemi
Leírás:
DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólom / RoHS nem megfelelő
elérhető mennyiség:
18326 Pieces
Adatlap:
JANTXV1N6628US.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója JANTXV1N6628US, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét JANTXV1N6628US e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz JANTXV1N6628US BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha:1.35V @ 2A
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max):660V
Szállító eszközcsomag:D-5B
Sebesség:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sorozat:Military, MIL-PRF-19500/590
Hátralévő helyreállítási idő (trr):30ns
Csomagolás:Bulk
Csomagolás / tok:SQ-MELF, E
Más nevek:1086-3036
1086-3036-MIL
Működési hőmérséklet - csatlakozás:-65°C ~ 150°C
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:JANTXV1N6628US
Bővített leírás:Diode Standard 660V 1.75A Surface Mount D-5B
Diódatípus:Standard
Leírás:DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr:2µA @ 660V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io):1.75A
Capacitance @ Vr, F:40pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások