JANTXV1N5811US
Cikkszám:
JANTXV1N5811US
Gyártó:
Microsemi
Leírás:
DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólom / RoHS nem megfelelő
elérhető mennyiség:
15805 Pieces
Adatlap:
JANTXV1N5811US.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója JANTXV1N5811US, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét JANTXV1N5811US e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz JANTXV1N5811US BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha:875mV @ 4A
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max):150V
Szállító eszközcsomag:B, SQ-MELF
Sebesség:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sorozat:Military, MIL-PRF-19500/477
Hátralévő helyreállítási idő (trr):30ns
Csomagolás:Bulk
Csomagolás / tok:SQ-MELF, B
Más nevek:1086-2849
1086-2849-MIL
Működési hőmérséklet - csatlakozás:-65°C ~ 175°C
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:14 Weeks
Gyártási szám:JANTXV1N5811US
Bővített leírás:Diode Standard 150V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Diódatípus:Standard
Leírás:DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr:5µA @ 150V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io):3A
Capacitance @ Vr, F:60pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások