megvesz IXZR08N120B-00 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IXZR08N120B-00
- Cikkszám:
- IXZR08N120B-00
- Gyártó:
- IXYS Corporation
- Leírás:
- RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 14096 Pieces
- Adatlap:
- IXZR08N120B-00.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXZR08N120B-00, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXZR08N120B-00 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - teszt: | - |
|---|---|
| Feszültség - névleges: | 1200V |
| Tranzisztor típusú: | N-Channel |
| Szállító eszközcsomag: | PLUS247™-3 |
| Sorozat: | Z-MOS™ |
| Teljesítmény: | 250W |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-247-3 |
| Zaj kép: | - |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 10 Weeks |
| Gyártási szám: | IXZR08N120B-00 |
| Nyereség: | - |
| Frekvencia: | 100MHz |
| Bővített leírás: | RF Mosfet N-Channel 100MHz 250W PLUS247™-3 |
| Leírás: | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 |
| Jelenlegi értékelés: | 1mA |
| Jelenlegi - teszt: | - |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IXZR08N120B-00-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6S23140HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-880S | Vizsgálat |
 |
BLF6G13LS-250PGJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E | Vizsgálat |
 |
IXZR08N120 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Vizsgálat |
 |
BLC9G20XS-550AVT | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.4DB SOT12587 | Vizsgálat |
|
IXZR08N120A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Vizsgálat |
|
MRF6S9060MBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-272-2 | Vizsgálat |
 |
PTFA091503ELV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-33288-6 | Vizsgálat |
|
PTFB211503FLV2R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-34288-4 | Vizsgálat |
 |
CGHV40100P | Cree/Wolfspeed | FET RF 125V 4GHZ 440206 | Vizsgálat |
 |
NE3516S02-T1C-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | Vizsgálat |
 |
MRF6VP2600HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog