IXTV200N10T
IXTV200N10T
Cikkszám:
IXTV200N10T
Gyártó:
IXYS Corporation
Leírás:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13199 Pieces
Adatlap:
IXTV200N10T.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXTV200N10T, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXTV200N10T e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IXTV200N10T BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PLUS220
Sorozat:TrenchMV™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 50A, 10V
Teljesítményleadás (Max):550W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-220-3, Short Tab
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:IXTV200N10T
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:9400pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:152nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 100V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole PLUS220
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):100V
Leírás:MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:200A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások