IXTT110N10P
IXTT110N10P
Cikkszám:
IXTT110N10P
Gyártó:
IXYS Corporation
Leírás:
MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
17820 Pieces
Adatlap:
IXTT110N10P.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXTT110N10P, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXTT110N10P e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IXTT110N10P BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-268
Sorozat:PolarHT™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:15 mOhm @ 500mA, 10V
Teljesítményleadás (Max):480W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:IXTT110N10P
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:3550pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 100V 110A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-268
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):100V
Leírás:MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások