IXTA3N100D2
IXTA3N100D2
Cikkszám:
IXTA3N100D2
Gyártó:
IXYS Corporation
Leírás:
MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15386 Pieces
Adatlap:
IXTA3N100D2.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXTA3N100D2, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXTA3N100D2 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IXTA3N100D2 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-263 (IXTA)
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:5.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Teljesítményleadás (Max):125W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Más nevek:623496
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:8 Weeks
Gyártási szám:IXTA3N100D2
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1020pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:37.5nC @ 5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:Depletion Mode
Bővített leírás:N-Channel 1000V (1kV) 3A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):-
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):1000V (1kV)
Leírás:MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások