megvesz IXFX26N60Q BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IXFX26N60Q
- Cikkszám:
- IXFX26N60Q
- Gyártó:
- IXYS Corporation
- Leírás:
- MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 19801 Pieces
- Adatlap:
- IXFX26N60Q.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXFX26N60Q, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXFX26N60Q e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 4mA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PLUS247™-3 |
| Sorozat: | HiPerFET™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 250 mOhm @ 13A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 360W (Tc) |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | TO-247-3 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | IXFX26N60Q |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 5100pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 600V 26A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 600V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 26A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IXFX26N60Q-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFX26N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247 | Vizsgálat |
|
IXFX26N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247 | Vizsgálat |
|
IXFX21N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 21A PLUS247-3 | Vizsgálat |
|
IXFX27N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247 | Vizsgálat |
|
IXFX26N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247 | Vizsgálat |
|
IXFX24N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 | Vizsgálat |
|
IXFX220N17T2 | IXYS | MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247 | Vizsgálat |
|
IXFX20N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247 | Vizsgálat |
|
IXFX260N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247 | Vizsgálat |
|
IXFX210N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247 | Vizsgálat |
|
IXFX230N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247 | Vizsgálat |
|
IXFX250N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247 | Vizsgálat |
|
IXFX24N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A PLUS247-3 | Vizsgálat |
|
IXFX240N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247 | Vizsgálat |
|
IXFX200N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 | Vizsgálat |
|
IXFX20N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog