megvesz IXFV18N60P BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IXFV18N60P
- Cikkszám:
- IXFV18N60P
- Gyártó:
- IXYS Corporation
- Leírás:
- MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 15358 Pieces
- Adatlap:
- IXFV18N60P.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXFV18N60P, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXFV18N60P e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PLUS220 |
| Sorozat: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 400 mOhm @ 500mA, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 360W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-220-3, Short Tab |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | IXFV18N60P |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 2500pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 600V 18A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS220 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 600V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IXFV18N60P-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFV16N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220 | Vizsgálat |
|
IXFV18N60PS | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD | Vizsgálat |
 |
IXFV18N90PS | IXYS | MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220SMD | Vizsgálat |
|
IXFV12N80PS | IXYS | MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220-S | Vizsgálat |
|
IXFV110N10PS | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S | Vizsgálat |
|
IXFV14N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220 | Vizsgálat |
 |
IXFV18N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220 | Vizsgálat |
 |
IXFV12N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220 | Vizsgálat |
|
IXFV16N80PS | IXYS | MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S | Vizsgálat |
|
IXFV15N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220 | Vizsgálat |
|
IXFV12N90PS | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD | Vizsgálat |
|
IXFV12N120PS | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD | Vizsgálat |
|
IXFV12N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220 | Vizsgálat |
|
IXFV14N80PS | IXYS | MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220-S | Vizsgálat |
|
IXFV15N100PS | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220SMD | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog