IXFT9N80Q
IXFT9N80Q
Cikkszám:
IXFT9N80Q
Gyártó:
IXYS Corporation
Leírás:
MOSFET N-CH 800V 9A TO-268
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12248 Pieces
Adatlap:
IXFT9N80Q.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXFT9N80Q, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXFT9N80Q e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IXFT9N80Q BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-268
Sorozat:HiPerFET™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:1.1 Ohm @ 500mA, 10V
Teljesítményleadás (Max):180W (Tc)
Csomagolás:Bulk
Csomagolás / tok:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:IXFT9N80Q
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 800V 9A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-268
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):800V
Leírás:MOSFET N-CH 800V 9A TO-268
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:sales@bychips.com

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások
Loading...