megvesz IXFT9N80Q BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | TO-268 |
Sorozat: | HiPerFET™ |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 1.1 Ohm @ 500mA, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 180W (Tc) |
Csomagolás: | Bulk |
Csomagolás / tok: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | IXFT9N80Q |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 2200pF @ 25V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 56nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 800V 9A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-268 |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 800V |
Leírás: | MOSFET N-CH 800V 9A TO-268 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |