megvesz IXFT50N85XHV BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 4mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | TO-268 |
Sorozat: | HiPerFET™ |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 500mA, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 890W (Tc) |
Csomagolás: | Tube |
Csomagolás / tok: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
Gyártási szám: | IXFT50N85XHV |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 4480pF @ 25V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 152nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 850V 50A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268 |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 850V |
Leírás: | 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |