IXFT12N100
IXFT12N100
Cikkszám:
IXFT12N100
Gyártó:
IXYS Corporation
Leírás:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14776 Pieces
Adatlap:
IXFT12N100.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXFT12N100, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXFT12N100 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IXFT12N100 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-268
Sorozat:HiPerFET™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:1.05 Ohm @ 6A, 10V
Teljesítményleadás (Max):300W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:IXFT12N100
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:4000pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:155nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 1000V (1kV) 12A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):1000V (1kV)
Leírás:MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások