IXFR58N20
IXFR58N20
Cikkszám:
IXFR58N20
Gyártó:
IXYS Corporation
Leírás:
MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16367 Pieces
Adatlap:
IXFR58N20.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXFR58N20, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXFR58N20 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IXFR58N20 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 4mA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:ISOPLUS247™
Sorozat:HiPerFET™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:40 mOhm @ 29A, 10V
Teljesítményleadás (Max):300W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:ISOPLUS247™
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:8 Weeks
Gyártási szám:IXFR58N20
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:3600pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:140nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 200V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):200V
Leírás:MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások