megvesz IXFR4N100Q BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 1.5mA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | ISOPLUS247™ |
Sorozat: | HiPerFET™ |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 2A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 80W (Tc) |
Csomagolás: | Bulk |
Csomagolás / tok: | ISOPLUS247™ |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Through Hole |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | IXFR4N100Q |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1050pF @ 25V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 1000V (1kV) 3.5A (Tc) 80W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 1000V (1kV) |
Leírás: | MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 3.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |