megvesz IXFN21N100Q BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IXFN21N100Q
- Cikkszám:
- IXFN21N100Q
- Gyártó:
- IXYS Corporation
- Leírás:
- MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 17226 Pieces
- Adatlap:
- IXFN21N100Q.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXFN21N100Q, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXFN21N100Q e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | SOT-227B |
| Sorozat: | HiPerFET™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 500 mOhm @ 500mA, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 520W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Chassis Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
| Gyártási szám: | IXFN21N100Q |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 5900pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 170nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 1000V (1kV) 21A 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Leírás: | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 21A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IXFN21N100Q-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN210N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227 | Vizsgálat |
|
IXFN26N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN260N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227 | Vizsgálat |
|
IXFN230N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 | Vizsgálat |
|
IXFN20N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN280N085 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN240N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 | Vizsgálat |
|
IXFN26N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN27N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN210N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN24N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN20N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN23N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN280N07 | IXYS | MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN24N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT227B | Vizsgálat |
|
IXFN230N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN27N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN24N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers