megvesz IXFN170N10 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IXFN170N10
- Cikkszám:
- IXFN170N10
- Gyártó:
- IXYS Corporation
- Leírás:
- MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 19250 Pieces
- Adatlap:
- IXFN170N10.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXFN170N10, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXFN170N10 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 8mA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | SOT-227B |
| Sorozat: | HiPerFET™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 500mA, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 600W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Chassis Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
| Gyártási szám: | IXFN170N10 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 10300pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 515nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 100V 170A 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 170A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IXFN170N10-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN110N85X | IXYS | 850V/110A ULT JUNCT X-CLASS HIPE | Vizsgálat |
|
IXFN150N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227 | Vizsgálat |
|
IXFN140N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 | Vizsgálat |
|
IXFN100N10S1 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN170N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN130N30 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN140N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B | Vizsgálat |
|
IXFN150N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227 | Vizsgálat |
|
IXFN180N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227 | Vizsgálat |
|
IXFN120N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B | Vizsgálat |
 |
IXFN132N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 112A SOT227 | Vizsgálat |
|
IXFN100N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN180N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN180N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN102N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B | Vizsgálat |
|
IXFN110N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 90A SOT227 | Vizsgálat |
|
IXFN106N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN180N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog