megvesz IXFL38N100Q2 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IXFL38N100Q2
- Cikkszám:
- IXFL38N100Q2
- Gyártó:
- IXYS Corporation
- Leírás:
- MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 17786 Pieces
- Adatlap:
- IXFL38N100Q2.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXFL38N100Q2, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXFL38N100Q2 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 8mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | ISOPLUS264™ |
| Sorozat: | HiPerFET™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 280 mOhm @ 19A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 380W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | ISOPLUS264™ |
| Más nevek: | 614235 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
| Gyártási szám: | IXFL38N100Q2 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 13500pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 250nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 1000V (1kV) 29A (Tc) 380W (Tc) Through Hole ISOPLUS264™ |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Leírás: | MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 29A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IXFL38N100Q2-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7174DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8 | Vizsgálat |
 |
IXFL38N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK | Vizsgálat |
 |
IXFL34N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264 | Vizsgálat |
 |
EPC8002 | EPC | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | Vizsgálat |
|
IXFL39N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 | Vizsgálat |
|
IXFL32N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK | Vizsgálat |
|
SIR476DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | Vizsgálat |
 |
ZXMN2A01FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 | Vizsgálat |
 |
ECH8320-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 9.5A ECH8 | Vizsgálat |
 |
BSS84LT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | Vizsgálat |
 |
DMP6185SE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET PCH 60V 3A SOT223 | Vizsgálat |
 |
FQI8N60CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK | Vizsgálat |
 |
IPA60R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220 | Vizsgálat |
 |
NTMFS4936NCT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.6A SO-8FL | Vizsgálat |
 |
IXFH26N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-247 | Vizsgálat |
|
IXFL30N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog