megvesz IXFH6N100F BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IXFH6N100F
- Cikkszám:
- IXFH6N100F
- Gyártó:
- IXYS Corporation
- Leírás:
- MOSFET N-CH 1KV 6A TO247
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 19613 Pieces
- Adatlap:
- IXFH6N100F.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXFH6N100F, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXFH6N100F e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-247 (IXFH) |
| Sorozat: | HiPerRF™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 1.9 Ohm @ 3A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 180W (Tc) |
| Csomagolás / tok: | TO-247-3 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 10 Weeks |
| Gyártási szám: | IXFH6N100F |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1770pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 54nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 1000V (1kV) 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH) |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Leírás: | MOSFET N-CH 1KV 6A TO247 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IXFH6N100F-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH6N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD | Vizsgálat |
|
IXFH69N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 69A TO-247 | Vizsgálat |
|
IXFH6N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 | Vizsgálat |
|
IXFH6N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD | Vizsgálat |
|
IXFH67N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD | Vizsgálat |
|
IXFH6N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD | Vizsgálat |
|
IXFH66N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 | Vizsgálat |
|
IXFH60N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 | Vizsgálat |
|
IXFH60N25Q | IXYS | MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD | Vizsgálat |
 |
IXFH60N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 60A TO-247 | Vizsgálat |
|
IXFH6N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 | Vizsgálat |
|
IXFH60N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 60A TO247 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog