megvesz IXFH12N100F BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 4mA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | TO-247AD (IXFH) |
Sorozat: | HiPerRF™ |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 1.05 Ohm @ 6A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 300W (Tc) |
Csomagolás: | Tube |
Csomagolás / tok: | TO-3P-3 Full Pack |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Through Hole |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | IXFH12N100F |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 2700pF @ 25V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 77nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 1000V (1kV) 12A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 1000V (1kV) |
Leírás: | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |