IRLD120PBF
IRLD120PBF
Cikkszám:
IRLD120PBF
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
18977 Pieces
Adatlap:
IRLD120PBF.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IRLD120PBF, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IRLD120PBF e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IRLD120PBF BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:270 mOhm @ 780mA, 5V
Teljesítményleadás (Max):1.3W (Ta)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:4-DIP (0.300", 7.62mm)
Más nevek:*IRLD120PBF
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:12 Weeks
Gyártási szám:IRLD120PBF
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:490pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4V, 5V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):100V
Leírás:MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:1.3A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások