megvesz IRFSL33N15DTRRP BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 250µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | TO-262 |
Sorozat: | HEXFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 56 mOhm @ 20A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus: | Through Hole |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | IRFSL33N15DTRRP |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 2020pF @ 25V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 150V 33A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-262 |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 150V |
Leírás: | MOSFET N-CH 150V 33A TO-262-3 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 33A (Tc) |
Email: | [email protected] |