megvesz IRFS9N60A BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IRFS9N60A
- Cikkszám:
- IRFS9N60A
- Gyártó:
- Vishay / Siliconix
- Leírás:
- MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 17182 Pieces
- Adatlap:
- IRFS9N60A.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IRFS9N60A, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IRFS9N60A e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | D2PAK |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 750 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 170W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Más nevek: | *IRFS9N60A |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | IRFS9N60A |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 600V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 600V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 9.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IRFS9N60A-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFS9N60ATRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK | Vizsgálat |
 |
SPD04N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK | Vizsgálat |
|
IRFS9N60APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK | Vizsgálat |
 |
IRF7807D1TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC | Vizsgálat |
 |
IRFR3711ZTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 93A DPAK | Vizsgálat |
 |
CSD16340Q3T | Texas Instruments | N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | Vizsgálat |
 |
TPC8012-H(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP | Vizsgálat |
|
IRFS9N60ATRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK | Vizsgálat |
|
IRFS9N60ATRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK | Vizsgálat |
|
IRFS9N60ATRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog