megvesz IRFHM8329TRPBF BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 25µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | PQFN (3x3) |
Sorozat: | HEXFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 6.1 mOhm @ 20A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 2.6W (Ta), 33W (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 8-PowerTDFN |
Más nevek: | IRFHM8329TRPBFTR SP001566808 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | IRFHM8329TRPBF |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1710pF @ 10V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 30V 16A (Ta), 57A (Tc) 2.6W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 4.5V, 10V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
Leírás: | MOSFET N-CH 30V 16A PQFN |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 16A (Ta), 57A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |