IRFBE20STRR
IRFBE20STRR
Cikkszám:
IRFBE20STRR
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólom / RoHS nem megfelelő
elérhető mennyiség:
18390 Pieces
Adatlap:
IRFBE20STRR.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IRFBE20STRR, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IRFBE20STRR e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IRFBE20STRR BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:D2PAK
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Teljesítményleadás (Max):-
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:IRFBE20STRR
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:530pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 800V 1.8A (Tc) Surface Mount D2PAK
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):800V
Leírás:MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:1.8A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások