IRFB9N65A
IRFB9N65A
Cikkszám:
IRFB9N65A
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólom / RoHS nem megfelelő
elérhető mennyiség:
18310 Pieces
Adatlap:
1.IRFB9N65A.pdf2.IRFB9N65A.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IRFB9N65A, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IRFB9N65A e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IRFB9N65A BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-220AB
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:930 mOhm @ 5.1A, 10V
Teljesítményleadás (Max):167W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-220-3
Más nevek:*IRFB9N65A
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:IRFB9N65A
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1417pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 650V 8.5A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):650V
Leírás:MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:8.5A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások