megvesz IRF8306MTR1PBF BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IRF8306MTR1PBF
- Cikkszám:
- IRF8306MTR1PBF
- Leírás:
- MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 14696 Pieces
- Adatlap:
- IRF8306MTR1PBF.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IRF8306MTR1PBF, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IRF8306MTR1PBF e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.35V @ 100µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | DIRECTFET™ MX |
| Sorozat: | HEXFET® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 2.5 mOhm @ 23A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 2.1W (Ta), 75W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | DirectFET™ Isometric MX |
| Más nevek: | IRF8306MTR1PBFTR SP001551608 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | IRF8306MTR1PBF |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 4110pF @ 15V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 4.5V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | Schottky Diode (Body) |
| Bővített leírás: | N-Channel 30V 23A (Ta), 140A (Tc) 2.1W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 23A (Ta), 140A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IRF8306MTR1PBF-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF8308MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 27A MX | Vizsgálat |
 |
IRF8313TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
IRF8302MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 31A MX | Vizsgálat |
|
IRF8308MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 27A MX | Vizsgálat |
|
IRF8306MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET | Vizsgálat |
|
IRF8304MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 28A MX | Vizsgálat |
|
IRF8302MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 30V 31A MX | Vizsgálat |
 |
IRF8301MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT | Vizsgálat |
 |
IRF8327STRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A SQ | Vizsgálat |
|
IRF8304MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 28A MX | Vizsgálat |
 |
IRF8327STR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A SQ | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog