IRF7807VD2TR
IRF7807VD2TR
Cikkszám:
IRF7807VD2TR
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólom / RoHS nem megfelelő
elérhető mennyiség:
13987 Pieces
Adatlap:
IRF7807VD2TR.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IRF7807VD2TR, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IRF7807VD2TR e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IRF7807VD2TR BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:8-SO
Sorozat:FETKY™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 7A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):2.5W (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:IRF7807VD2TR
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:-
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 4.5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:Schottky Diode (Isolated)
Bővített leírás:N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:8.3A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások