megvesz IRF6794MTR1PBF BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.35V @ 100µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | DIRECTFET™ MX |
Sorozat: | HEXFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 1.7 mOhm @ 32A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 2.8W (Ta), 100W (Tc) |
Csomagolás: | Cut Tape (CT) |
Csomagolás / tok: | DirectFET™ Isometric MX |
Más nevek: | IRF6794MTR1PBFCT |
Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
Gyártási szám: | IRF6794MTR1PBF |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 4420pF @ 13V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 47nC @ 4.5V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | Schottky Diode (Body) |
Bővített leírás: | N-Channel 25V 32A (Ta), 200A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 25V |
Leírás: | MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 32A (Ta), 200A (Tc) |
Email: | [email protected] |