megvesz IRF1902GPBF BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 700mV @ 250µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | 8-SO |
Sorozat: | HEXFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 85 mOhm @ 4A, 4.5V |
Teljesítményleadás (Max): | - |
Csomagolás: | Tube |
Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Más nevek: | SP001571184 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | IRF1902GPBF |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 310pF @ 15V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 20V 4.2A (Ta) Surface Mount 8-SO |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 20V |
Leírás: | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 4.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |