megvesz IRD3CH101DB6 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IRD3CH101DB6
- Cikkszám:
- IRD3CH101DB6
- Leírás:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 13497 Pieces
- Adatlap:
- IRD3CH101DB6.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IRD3CH101DB6, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IRD3CH101DB6 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 2.7V @ 200A |
|---|---|
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 1200V (1.2kV) |
| Szállító eszközcsomag: | Die |
| Sebesség: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sorozat: | - |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 360ns |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | Die |
| Más nevek: | SP001535420 |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | -40°C ~ 175°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | IRD3CH101DB6 |
| Bővített leírás: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 200A Surface Mount Die |
| Diódatípus: | Standard |
| Leírás: | DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 3.6µA @ 1200V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io): | 200A |
| Capacitance @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IRD3CH101DB6-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IRD3CH101DD6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Vizsgálat |
|
IRD3CH11DD6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Vizsgálat |
|
IRD3CH53DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Vizsgálat |
|
IRD3CH16DD6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Vizsgálat |
|
IRD3CH11DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Vizsgálat |
|
IRD3CH5DB6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE | Vizsgálat |
|
IRD3CH16DB6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Vizsgálat |
|
IRD3CH16DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Vizsgálat |
|
IRD3CH31DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Vizsgálat |
|
IRD3CH101DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Vizsgálat |
|
IRD3CH11DB6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE | Vizsgálat |
|
IRD3CH24DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog