megvesz IPZ60R099C7XKSA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IPZ60R099C7XKSA1
- Cikkszám:
- IPZ60R099C7XKSA1
- Leírás:
- MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 18785 Pieces
- Adatlap:
- IPZ60R099C7XKSA1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPZ60R099C7XKSA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPZ60R099C7XKSA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 490µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO247-4 |
| Sorozat: | CoolMOS™ C7 |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 99 mOhm @ 9.7A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 110W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-247-4 |
| Más nevek: | SP001298006 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 20 Weeks |
| Gyártási szám: | IPZ60R099C7XKSA1 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1819pF @ 400V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 600V 22A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO247-4 |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 600V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 22A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IPZ60R099C7XKSA1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 | Vizsgálat |
|
IPZ60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 | Vizsgálat |
 |
IPZ60R099P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | Vizsgálat |
|
IPZ60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | Vizsgálat |
|
IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | Vizsgálat |
 |
BSP296 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 | Vizsgálat |
 |
FDU068AN03L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK | Vizsgálat |
|
IPZ60R070P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | Vizsgálat |
|
IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 | Vizsgálat |
 |
TN5335K1-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3 | Vizsgálat |
|
IPZ60R125P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog