megvesz IPW60R190P6 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IPW60R190P6
- Cikkszám:
- IPW60R190P6
- Leírás:
- MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 13070 Pieces
- Adatlap:
- IPW60R190P6.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPW60R190P6, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPW60R190P6 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 630µ |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO247-3 |
| Sorozat: | CoolMOS™ P6 |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 7.6A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 151W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-247-3 |
| Más nevek: | IPW60R190P6FKSA1 SP001017090 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 12 Weeks |
| Gyártási szám: | IPW60R190P6 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1750pF @ 100V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 600V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 600V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 20.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IPW60R190P6-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R190E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247 | Vizsgálat |
|
IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3 | Vizsgálat |
|
IPW60R199CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 | Vizsgálat |
|
IPW60R190C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247 | Vizsgálat |
|
IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | Vizsgálat |
|
IPW60R125C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 30A TO247 | Vizsgálat |
|
IPW60R165CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 | Vizsgálat |
|
IPW60R125CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 | Vizsgálat |
|
IPW60R160C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247 | Vizsgálat |
|
IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | Vizsgálat |
|
IPW60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | Vizsgálat |
|
IPW60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3 | Vizsgálat |
|
IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog