IPT60R050G7XTMA1
Cikkszám:
IPT60R050G7XTMA1
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16400 Pieces
Adatlap:
IPT60R050G7XTMA1.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPT60R050G7XTMA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPT60R050G7XTMA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IPT60R050G7XTMA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 800µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-HSOF-8
Sorozat:CoolMOS™ G7
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:50 mOhm @ 15.9A, 10V
Teljesítményleadás (Max):245W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-PowerSFN
Más nevek:SP001615912
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:12 Weeks
Gyártási szám:IPT60R050G7XTMA1
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:2670pF @ 400V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 650V 44A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):650V
Leírás:MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:44A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások