megvesz IPP65R190C6XKSA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IPP65R190C6XKSA1
- Cikkszám:
- IPP65R190C6XKSA1
- Leírás:
- MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 17142 Pieces
- Adatlap:
- IPP65R190C6XKSA1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPP65R190C6XKSA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPP65R190C6XKSA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 730µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO-220-3 |
| Sorozat: | CoolMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 151W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-220-3 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 12 Weeks |
| Gyártási szám: | IPP65R190C6XKSA1 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1620pF @ 100V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 73nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 650V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 650V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 20.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IPP65R190C6XKSA1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R190CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 | Vizsgálat |
|
IPP65R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 | Vizsgálat |
|
IPP65R190CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | Vizsgálat |
|
IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 | Vizsgálat |
|
IPP65R110CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220 | Vizsgálat |
|
IPP65R150CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | Vizsgálat |
|
IPP65R190C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A TO220 | Vizsgálat |
|
IPP65R110CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | Vizsgálat |
|
IPP65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | Vizsgálat |
|
IPP65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 | Vizsgálat |
|
IPP65R150CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220 | Vizsgálat |
|
IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog